[23a-P08-1~3] 16.3 シリコン系太陽電池

[23a-P08-2] ヘテロ接合Ge太陽電池の接合界面TEM評価

〇陶山 直樹¹、高村 司¹、齊藤 公彦²、石川 亮佑¹、小長井 誠¹ (1.都市大総研、2.福島大共生システム理工)

キーワード：Ge太陽電池、ヘテロ接合型、透過電子顕微鏡

Rib構造を有するSi系トリプル接合太陽電池のボトムセルとしてGe太陽電池の特性向上を進めている。Ge基板界面にパッシベーションi-a-Si:H膜を形成することにより開放電圧が向上した。今回はパッシベーション膜形成による接合界面構造変化を透過電子顕微鏡（TEM）により評価し、ヘテロエピタキシャル成長の抑制による欠陥低減と界面再結合との相関を考察する。