[23a-P09-1~1] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[23a-P09-1] MBE法を用いたSi(001)基板上へのGaN/AlN半導体超格子の作製及びX線回折測定法による構造評価

〇土居 虹介¹、矢野 大輝¹、森本 巧海¹、宮川 勇人¹、秋山 英文²、田中 康弘¹、小柴 俊¹ (1.香川大学、2.東京大学)

キーワード：半導体