[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-1] ドライエッチにより形成された4H-SiC 三次元構造のラフネス低減加工

〇佐藤 旦¹、竹内 陸¹、志摩 拓真¹、ヴォーン ヴァン クォン¹、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス)

キーワード：4H-SiC、ラフネス、酸化

半導体材料の表面粗さは、半導体デバイスの特性を低下させる重要な問題の1つである。本研究では、ドライエッチングにて形成した三次元構造に着目し、SiC 側面ラフネスの低減を目的としたパイロジェニック酸化および評価を行った。AFM測定で得られた結果から、酸化はラフネスの低減に効果的であった。