[23a-P11-1~18] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[23a-P11-13] Crystal growth and optical evaluation of AgGa_xIn_1-xS₂ semiconductor

〇Motoaki Sano¹, Syunji Ozaki¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:optical evaluation, semiconductor, crystal growth

AgGa_xIn_1-xS₂は、カルコパイライト構造多元化合物半導体の一つであり、太陽電池材料への応用が期待される。しかし、III族元素であるGaとInを混晶化することによるバンドギャップエネルギー(E_g)や光学特性の変化に関する研究報告例は少なく、基礎物性において不明な点が多く存在する。今回我々はAgGa_xIn_1-xS₂混晶半導体バルク結晶を育成し、フォトルミネッセンス(PL)測定と光吸収測定を行ったので報告する。