2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

2021年9月23日(木) 11:00 〜 12:40 P11 (ポスター)

11:00 〜 12:40

[23a-P11-14] CuxAg1-xInSe2半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価

牛越 勇渡1、尾崎 俊二1 (1.群馬大理工)

キーワード:半導体、結晶成長、光学特性評価

カルコパイライト構造を有するCuInSe2とAgInSe2は、室温におけるバンドギャップエネルギー(Eg)が、それぞれ1.01 eVと1.24 eVの直接遷移型半導体であることが知られている。しかし、それらのI族を混晶したCuxAg1-xInSe2半導体の基礎物性においては不明な点が多く存在する。今回、我々はCuxAg1-xInSe2バルク結晶を育成し、光学測定によりEgを評価したので報告する。