The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

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Poster presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[23a-P11-1~18] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Thu. Sep 23, 2021 11:00 AM - 12:40 PM P11 (Poster)

11:00 AM - 12:40 PM

[23a-P11-14] Crystal growth of CuxAg1-xInSe2 semiconductors and evaluation of their bandgap energies

Yuto Ushikoshi1, Syunji Ozaki1 (1.Gunma univ.)

Keywords:semiconductor, crystal growth, optical property evaluation

カルコパイライト構造を有するCuInSe2とAgInSe2は、室温におけるバンドギャップエネルギー(Eg)が、それぞれ1.01 eVと1.24 eVの直接遷移型半導体であることが知られている。しかし、それらのI族を混晶したCuxAg1-xInSe2半導体の基礎物性においては不明な点が多く存在する。今回、我々はCuxAg1-xInSe2バルク結晶を育成し、光学測定によりEgを評価したので報告する。