[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[23a-P11-14] Cu_xAg_1-xInSe₂半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価

〇牛越 勇渡¹、尾崎 俊二¹ (1.群馬大理工)

キーワード：半導体、結晶成長、光学特性評価

カルコパイライト構造を有するCuInSe₂とAgInSe₂は、室温におけるバンドギャップエネルギー（E_g）が、それぞれ1.01 eVと1.24 eVの直接遷移型半導体であることが知られている。しかし、それらのI族を混晶したCu_xAg_1-xInSe₂半導体の基礎物性においては不明な点が多く存在する。今回、我々はCu_xAg_1-xInSe₂バルク結晶を育成し、光学測定によりE_gを評価したので報告する。