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[23a-P11-14] CuxAg1-xInSe2半導体の結晶成長とバンドギャップエネルギーの評価
キーワード:半導体、結晶成長、光学特性評価
カルコパイライト構造を有するCuInSe2とAgInSe2は、室温におけるバンドギャップエネルギー(Eg)が、それぞれ1.01 eVと1.24 eVの直接遷移型半導体であることが知られている。しかし、それらのI族を混晶したCuxAg1-xInSe2半導体の基礎物性においては不明な点が多く存在する。今回、我々はCuxAg1-xInSe2バルク結晶を育成し、光学測定によりEgを評価したので報告する。