[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[23a-P11-16] Si/CaF₂ヘテロ構造を用いた分布帰還型導波路の設計とグレーティング構造形成プロセス

〇北村 研太¹、鄭 源宰¹、劉 龍¹、小柳 陽平¹、菅原 大暉¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工)

キーワード：量子カスケードレーザ、分布帰還型導波路、シリコンフォトニクス

シリコンフッ化カルシウムヘテロ量子構造を用いた近赤外波長帯に対応可能な分布帰還型(DFB)導波路の設計を行い、シリコンフッ化カルシウム量子カスケードレーザ(QCL)構造への適用可能性をシミュレーションにより検討した。また、グレーティング構造形成プロセスについて初期的検討を行ったのであわせて報告する。