[23a-P11-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[23a-P11-18] 単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔE_v)の評価

〇菅原 大暉¹、劉 龍¹、鄭 源宰¹、小柳 陽平¹、北村 研太¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大工)

キーワード：量子カスケードレーザ、共鳴トンネルダイオード、量子効果デバイス

p型単一障壁トンネルダイオードの電流電圧特性に対して、トンネル電流の抽出に重要となるリーク電流や寄生抵抗の効果を考慮したシミュレーションを行い、2原子層CaF₂とSi界面におけるバンド不連続量が2.0 eVであると実験的に見積もった。