[23p-P06-1~4] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P06-2] Si基板上に製膜した多結晶GaNに対するウェットエッチングの影響

〇石川 由依¹、小柴 俊¹、藏岡 賢¹、秋山 英文² (1.香川大工、2.物性研)

キーワード：窒化ガリウム