[23p-P06-1~4] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P06-4] GaSb基板上InSb/GaSbドットの密度・サイズに対するⅤ/Ⅲ比の効果

〇山本 恭輔¹、土屋 隆史¹、牛頭 信一郎²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先工、2.産総研)

キーワード：量子ドット