[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-10] DERI法を用いたInN結晶成長の成長温度依存性に関する研究

〇(M2)張 同舟¹、後藤 直樹¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大工)

キーワード：窒化インジウム、分子線エピタキシー法

InN結晶成長における困難を克服し、諸条件を最適化するために、本検討ではRF-MBE法による本研究室で提案されたDERI(Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation)法を用いて、GaN/Sapphire基板上に高品質なInN結晶を成長することを目的とし、今回はInN結晶成長の成長温度依存性について検討した結果を報告する。