[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-14] An ab initio-based approach for the formation of pyramidal inversion domain boundaries in highly Mg-doped GaN

〇(M2)Katsuhide Niki¹, Toru Akiyama¹, Tomonori Ito¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:GaN, inversion domain, interface energy

Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ではMgをアクセプター不純物として高濃度でドーピングすると、逆ピラミッド状のインバージョンドメイン(PID)が形成され、さらに、キャリア濃度が低下することも報告されている。しかし、PIDの界面の安定性ならびにPID形成とMg濃度およびキャリア濃度との関係性については不明な点が多い。本研究では、界面エネルギーからPIDの形成エネルギーを見積もることで、Mg濃度とPID形成およびキャリア濃度との関係性を検討する。