[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-14] 界面エネルギーに基づく高濃度Mg添加GaNにおけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の評価

〇(M2)仁木 克英¹、秋山 亨¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化ガリウム、インバージョンドメイン、界面エネルギー

Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ではMgをアクセプター不純物として高濃度でドーピングすると、逆ピラミッド状のインバージョンドメイン(PID)が形成され、さらに、キャリア濃度が低下することも報告されている。しかし、PIDの界面の安定性ならびにPID形成とMg濃度およびキャリア濃度との関係性については不明な点が多い。本研究では、界面エネルギーからPIDの形成エネルギーを見積もることで、Mg濃度とPID形成およびキャリア濃度との関係性を検討する。