[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-16] Analysis on electrical properties of recessed normally-on AlGaN/GaN HFETs

〇Seishin Fu¹, Kouki Kaneda¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science,the Univ. of Tokyo)

Keywords:Crystal engineering

リセス構造 の適用可能性の拡大を念頭に、ソース・ドレイン間の全領域に浅いリセス構造を適用たノーマリーオン型のデバイスを作製したところ、最大電流および最大利得が増大するというこの構造に特徴的な優位な特性が得られた。前記デバイスの電気的特性 の特徴の起源を明らかにするための検討を行ったので報告する。