[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-16] リセス構造ノーマリーオン AlGaN/GaN ヘテロ構造 FET の電気的特性の解析

〇付 成辛¹、金田 洸貴¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：結晶工学

リセス構造 の適用可能性の拡大を念頭に、ソース・ドレイン間の全領域に浅いリセス構造を適用たノーマリーオン型のデバイスを作製したところ、最大電流および最大利得が増大するというこの構造に特徴的な優位な特性が得られた。前記デバイスの電気的特性 の特徴の起源を明らかにするための検討を行ったので報告する。