[23p-P07-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-P07-3] Dependence of GaN/ScAlMgO₄ growth mode by RF-MBE on step distance of substrates

〇Yuya Kuroda¹, Yuichi Wada¹, Seiya Kayamoto¹, Naoki Goto¹, Takashi Fuji^1,2, Shinichiro Mouri¹, Yuji Shiraishi², Tsuguo Fukuda², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Fukuda Crystal Lab.)

Keywords:GaN, ScAlMgO4, RF-MBE

ScAlMgO­₄(SAM)はGaNとの格子ミスマッチ、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と小さく、さらに無転位SAM単結晶の作製も報告されていることから、GaN成長用基板として期待されている。本研究では、超高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、ステップ間隔の異なる3枚のSAM基板上にGaNを成長し、それぞれの成長形態について検討を行った。