[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-3] RF-MBE法によるGaN/ScAlMgO₄成長形態の基板ステップ間隔依存性

〇黒田 悠弥¹、和田 邑一¹、栢本 聖也¹、後藤 直樹¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、白石 裕児²、福田 承生²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.(株)　福田結晶研)

キーワード：窒化ガリウム、ScAlMgO­4、RF-MBE

ScAlMgO­₄(SAM)はGaNとの格子ミスマッチ、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と小さく、さらに無転位SAM単結晶の作製も報告されていることから、GaN成長用基板として期待されている。本研究では、超高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、ステップ間隔の異なる3枚のSAM基板上にGaNを成長し、それぞれの成長形態について検討を行った。