[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-7] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム

〇(M1)齋藤 元希¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタエピタキシー、窒化ガリウム

我々は，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてⅢ族窒化物半導体のエピタキシャル成長を行っている．スパッタリング法は非熱平衡状態における成長法であるため，準安定相が成長層中に含まれてしまうことが多くある．
今回は，GaN層の成長において，N₂/Ar反応ガスの混合比や基板温度を変化させた際の結晶構造の詳細について検討したので報告する．