[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-8] 緩和制御層上GaInN周期構造のRF-MBE成長と評価

〇松田 真樹¹、吉田 涼介¹、田原 開悟¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大)

キーワード：GaInN

高In組成GaInNは歪量子井戸におけるピエゾ電界に起因したQCSEによる発光効率の低下が課題に挙げられる．従って，格子定数がGaInN周期構造と近い緩衝層を下地層(UL)として用い，障壁層もULに格子定数を揃えることで，QCSEの低減が可能となる．本研究では，QCSEの低減を目的とした緩和制御層GaInN ULを挿入した後，周期構造をMBE成長し，GaN ULを用いた試料との比較検討を行った．測定方法にはXRD θ-2θ，XRD RSM測定、PL測定を行った．