[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-9] AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成長したInNの発光特性

〇中山 大輝¹、毛利 真一郎¹、福田 安莉¹、高林 佑介¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：発光、窒化インジウム、窒化アルミニウム

窒化インジウム(InN)は、窒化物半導体野中で最も小さいバンドギャップ、大きな移動度を有しており、高速・高周波デバイスや赤外発光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実用化には結晶成長上の課題が存在する。そこで、本講演では、デバイス応用に適した結晶基板探索の一環として、スパッタ・アニール法で作成した高品質AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成膜したInNの発光特性を評価し、基板極性・成長法による差異を調べた。