[23p-P09-1~2] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[23p-P09-1] Comparative study of the effect of van der Waals interactions on the stacking fault energies of SiC

〇Hiroki Sakakima¹, Asuka Hatano¹, Satoshi Izumi¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:SiC, Stacking fault, First principles study

近年，SiCの結晶多形間の安定性順序や積層欠陥エネルギーに対する第一原理計算において，ファンデルワールス力が無視できない影響を与える可能性が指摘されている．しかしながら，過去の研究で用いられたファンデルワールス補正は，初期に提案された多体の効果が含まれていない半経験的補正であり，近年提案されている多体の効果を考慮した補正手法を用いた結果との比較は未だ行われていない．本研究ではSiCの積層欠陥エネルギーを対象に，用いるファンデルワールス力補正手法の違いが計算結果に与える影響について検討した．