[23p-P09-1~2] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[23p-P09-2] Origin Analysis of Stacking Fault Complex in 4H-SiC Epitaxial Wafer Using TEM

〇SHOHEI HAYASHI¹, HIDEKI SAKO¹, JUNJI SENZAKI² (1.Toray Research Center, 2.AIST)

Keywords:silicon carbide, stacking fault, TEM

4H-SiCエピウエハには多種多様な結晶欠陥が存在している。基板中の貫通らせん転位もしくは貫通混合転位を起源として発生する拡張欠陥である積層欠陥複合体は、基底面積層欠陥とプリズム面積層欠陥により構成され、プリズム面積層欠陥が到達した試料表面には特徴的凹凸が形成される。本研究では、透過型電子顕微鏡を用いて高空間分解能観察することで起点の構造を明らかにした。