[23p-P10-1~2] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[23p-P10-1] 過渡光容量分光法による (111)ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価

〇毎田 修¹、児玉 大志¹、兼本 大輔¹、廣瀬 哲也¹ (1.阪大院工)

キーワード：光容量、ダイヤモンド

過渡光容量分光法によるダイヤモンド半導体結晶欠陥評価システムを開発するとともに、高パワー密度マイクロ波プラズマCVD法により合成した(111)ホウ素ドープダイヤモンド薄膜の深い欠陥準位評価を行った。その結果、光容量スペクトルに急峻な立ち上がりは観測されず、このことは(111)ホウ素ドープダイヤモンド薄膜がエネルギー的に広がった深い欠陥準位を有していることを示唆している。