[23p-P10-1~2] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[23p-P10-2] 高パワー密度励起におけるGaAsのフォトルミネッセンス強度低下

高岡 祥平¹、Md. Zamil Sultan^1,2、〇高宮 健吾¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大、2.HSTU)

キーワード：ガリウムヒ素、半導体、高パワー密度励起

強い光励起下でのGaAsからのフォトルミネッセンス(PL)強度低下は、光励起で生成されたキャリアの非発光再結合による欠陥増殖などが原因であるとされ、半導体デバイスの信頼性の観点から、その評価は重要である。本研究では様々なGaAs基板に対して数100 kWcm^-2程度の高パワー密度励起下での測定を行い、PL強度について調べた