[23p-P10-1~2] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[23p-P10-2] Degradation of Photoluminescence Intensity of GaAs under High Power Density Excitation

Shohei Takaoka¹, Sultan Md. Zamil^1,2, 〇Kengo Takamiya¹, Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ., 2.HSTU)

Keywords:GaAs, semiconductor, High power density excitation

強い光励起下でのGaAsからのフォトルミネッセンス(PL)強度低下は、光励起で生成されたキャリアの非発光再結合による欠陥増殖などが原因であるとされ、半導体デバイスの信頼性の観点から、その評価は重要である。本研究では様々なGaAs基板に対して数100 kWcm^-2程度の高パワー密度励起下での測定を行い、PL強度について調べた