[23p-P11-1~25] 17 ナノカーボン(ポスター)

[23p-P11-11] 架橋グラフェン上における窒化インジウムのファンデルワールスエピタキシー

〇河瀬 裕太¹、松島 健太¹、土井 惇太郎¹、荒木 努¹、毛利 真一郎¹ (1.立命館大理工)

キーワード：グラフェン、ファンデルワールスエピタキシー、窒化物半導体

近年、剥離可能な化合物半導体作製法としてグラフェンを基板とする結晶成長法が提案されている。この方法では、下地基板のポテンシャルが結晶成長に強く影響することが指摘されている。そこで、グラフェン自体の役割を議論する上で下地基板の影響のない結晶成長法の検討が必要となる。今回、我々は、架橋グラフェンを用いることで下地基板の影響を排した成長手法を提案し、その上に窒化インジウム(InN)の結晶成長ができることを示した。