[23p-P11-1~25] 17 ナノカーボン(ポスター)

[23p-P11-9] Niを用いた熱CVD法によるSi基板上へのh-BN成長法の検討

〇小子内 行羅¹、中村 嘉孝¹、鎌田 貴晴¹、角館 俊行¹ (1.八戸高専)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、h-BN

熱CVD法によりh-BNを合成する際、Si、c面サファイアを基板材料として用いると、金属の触媒作用を利用しないため、生成するh-BNのグレインサイズが極めて小さいという問題が生じる。そこで、Si上に直接h-BNを合成する際、基板の一部分に金属触媒を設置する事でSi上に生成するh-BNのグレインサイズを大きくすることができるのではないかと考え、穴を開けたNi箔でSi表面を覆った試料を用いて、熱CVD法によりh-BNを合成することを試みた。