[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-2] マグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)_x(InN)_1-x膜の表面モフォロジーに及ぼす基板極性の影響

〇(M2)成重 椋太¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：ZION、ZnO、スパッタリング

我々は，ZnOとInNの疑2元混晶である(ZnO)_x(InN)_1-x（以下ZION）を開発している．ZIONは, 30–60 meVの高い励起子束縛エネルギーを有し, エキシトントランジスタなどの励起子デバイス用材料として期待されている．本研究では，ZnO基板の面極性がZION膜の表面モフォロジーに及ぼす影響を詳細に調べ，その原因について表面原子の移動度の観点から考察した．