[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-3] ZnONバッファー層を用いたサファイア基板上への単結晶Zn_1-xMg_xO薄膜の成長

〇(M2)高橋 大智¹、山下 大輔¹、奥村 賢直¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：ZnMgO、スパッタリング、ヘテロエピタキシー

バンドギャップチューニング可能なワイドギャップ半導体としてZn_1-xMg_xOが注目されている．しかし，一般的に基板に用いられているサファイア基板上との間には18%程度の大きな格子不整合率があり，高品質な単結晶薄膜の成長には課題が残されている．本研究では，粒系が10 nm以下のZnO結晶粒で構成され，かつ原子レベルで平坦な表面を有するZnONバッファー層を用いることで，高Mg組成比での単結晶Zn_1-xMg_xO薄膜の成長に成功したので報告する．