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[23p-P12-5] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長
キーワード:スパッタエピタキシー、ZnO
我々は,超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて,高温領域におけるZnO層のエピタキシャル成長を行っている.これまでに,Al2O3基板上に直接成長を行ったところ基板温度が900 ℃付近において,(0002)面におけるXRC FWHM値が50 arcsec以下のものが得られている.今回は,高温領域で成長したZnO層の結晶性や電気的特性について検討を行ったので報告する.