[23p-P12-1~11] 21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"(Poster)

[23p-P12-6] TEM study of defects in of α-Ga₂O₃ grown on off-cut sapphire

〇Syuhei Yamashita¹, Hiroiki Hayakawa¹, Junjiro Kikawa¹, Shingo Yagyu², Takashi Shinohe², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.FLOSFIA Inc.)

Keywords:semiconductor, TEM, Ga2O3

α-Ga₂O₃は、パワーデバイスへの応用が期待されている新しい半導体材料である。今回我々は、この c 面 α-Ga₂O₃ と m 面 α-Ga₂O₃ の転位線の傾向の違いを明らかにするため、c 面から m 面にかけて 15°ずつオフセット角をつけた Sapphire 基板上に α-Ga₂O₃ を成長させたサンプルの TEM 観察を行った。用いたサ ンプルの Sn 濃度はすべて 5.0×10¹⁹ cm^-3 である。