[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-6] TEM 観察を用いた Sapphire オフ基板上成長 α-Ga₂O₃の結晶欠陥評価

〇山下 修平¹、早川 紘生¹、城川 潤二郎¹、柳生 慎悟²、四戸 孝²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.(株)FLOSFIA)

キーワード：半導体、TEM、酸化ガリウム

α-Ga₂O₃は、パワーデバイスへの応用が期待されている新しい半導体材料である。今回我々は、この c 面 α-Ga₂O₃ と m 面 α-Ga₂O₃ の転位線の傾向の違いを明らかにするため、c 面から m 面にかけて 15°ずつオフセット角をつけた Sapphire 基板上に α-Ga₂O₃ を成長させたサンプルの TEM 観察を行った。用いたサ ンプルの Sn 濃度はすべて 5.0×10¹⁹ cm^-3 である。