[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-7] (InGaO₃)(ZnO)_n(n=1,3)単結晶の酸素アニール効果

〇河村 優介¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：IGZO、TCO、単結晶

IGZOは透明導電性酸化物として様々なデバイスに応用されているが、物性値のキャリア数依存性は未解明なことが多い。本研究では、(InGaO₃)(ZnO)と(InGaO₃)(ZnO)₃のバルク単結晶を用意し、酸素アニール処理によってキャリア数を制御した。それぞれの結晶で電気伝導度測定、ホール測定を行い、結晶構造の差異が物性値のキャリア数依存性に与える影響を調べた。