[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-8] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (7)

〇(M1)幅田 雅也¹、佐野 準之助¹、佐藤 陽平¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：酸化亜鉛、透明導電膜、フレキシブル

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上への Ga 添加 ZnO (GZO) 透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回は、PET 基板上に形成した GZO 透明導電膜の曲げ試験に伴う電気抵抗の変化を調査した結果について報告する