2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-1~11] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2021年9月23日(木) 15:00 〜 16:40 P12 (ポスター)

15:00 〜 16:40

[23p-P12-9] 窒素添加スパッタ法による高移動度アモルファスIn2O3:Sn薄膜の高温成膜

御堂 雄大1、山下 大輔1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1、板垣 奈穂1 (1.九大シス情)

キーワード:スパッタリング、アモルファス、ITO

In2O3:Sn (ITO) 薄膜は可視光領域における高い透過率と低い電気抵抗率を併せ持つことから,タッチパネル等の透明電極として用いられており,なかでも近年,優れた表面平坦性や高いエッチング速度といった優位性から,アモルファスITO (a-ITO) 膜が注目されている.本研究では,不純物であるN原子フラックスを制御することで,結晶化温度よりもはるかに高い350°Cでのa-ITO膜の作製に成功したので報告する.