[23p-P12-1~11] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[23p-P12-9] 窒素添加スパッタ法による高移動度アモルファスIn₂O₃:Sn薄膜の高温成膜

〇御堂 雄大¹、山下 大輔¹、奥村 賢直¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：スパッタリング、アモルファス、ITO

In₂O₃:Sn (ITO) 薄膜は可視光領域における高い透過率と低い電気抵抗率を併せ持つことから，タッチパネル等の透明電極として用いられており，なかでも近年，優れた表面平坦性や高いエッチング速度といった優位性から，アモルファスITO (a-ITO) 膜が注目されている．本研究では，不純物であるN原子フラックスを制御することで，結晶化温度よりもはるかに高い350°Cでのa-ITO膜の作製に成功したので報告する．