[23p-P13-1~22] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[23p-P13-11] Direct growth of patterned Ge on insulators using graphene

〇Takahiro Tsukamoto¹, Nobumitsu Hirose², Akifumi Kasamatsu², Toshiaki Matsui², Yoshiyuki Suda³ (1.Univ. Electro-comm., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. Agric. Technol.)

Keywords:graphene, germanium, sputter

炭素原子一層であるグラフェンは機械的強度や化学的安定性に優れている。また、グラフェンを固体表面上に貼り付けることで、その固体表面上に疎水性のカーボンコーティングが可能であり、表面化学状態を制御することができるため、固体表面上へナノ材料を集積化するプラットフォームとしても有用である。本研究では、絶縁膜上へのナノ材料の選択的な配置制御技術の開発に向けて、グラフェンを用いたGeパターニング形成技術の検討を行った。