[23p-P13-1~22] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[23p-P13-13] Effect of the AlN Thickness and Step Height on the AlN/Epitaxial graphene/4H-SiC Structure Formation

〇(M2)Yudai Yamashita¹, Tomohiro Katsuzaki¹, Yusuke Mizuno¹, Akihiro Hashimoto¹ (1.Univ. of Fukui)

Keywords:graphene, aluminum nitride, Si sublimation method

多機能2次元構造（MF2DS: AlN/EG/SiC構造）は、窒化物半導体やシリコンのエピタキシャル成長用の新たな汎用テンプレート構造として期待されている。現在、SiC熱分解法によりEGをAlN/SiC界面へ形成する際にAlN層が一部熱分解してEGが露出する問題がある。AlN層は表面から熱分解が進むのに対し、EGの形成はSiC表面のステップ端から進むとされる。そこで、本研究では、AlN/SiC構造におけるステップ高さがMF2DS形成に与える影響について調べた。