[23p-P13-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[23p-P13-14] ポーラスSiCを用いた多機能2次元構造の形成

〇(M2)水野 裕介¹、山下 雄大¹、犬飼 将成¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工)

キーワード：グラフェン、ポーラスSiC、AlN

Ⅲ族窒化物半導体等のエピタキシャル成長用汎用テンプレート構造として、多機能2次元構造(MF2DS: AlN/エピタキシャルグラフェン(EG)/SiC構造)が期待されている。しかしながら、Si昇華法を用いたEG形成過程においてAlN層膜厚が減少し、EG表面が部分的に露出する場合があり、これにより成長層の結晶軸配向制御に大きな影響を与えることが明らかになった。そこで、我々はAlN層厚減少を抑制する方法としてポーラスSiCを用いたMF2DSの形成について検討を行ったので報告する。