16:15 〜 16:30 [16p-Z07-7] 界面制御による縦型パワーデバイス適用を目指したGaN MOSFET特性 〇富田 英幹1、原田 彩花1、大川 峰司1、長里 喜隆1、劉 麗2、川原村 敏幸2 (1.(株)ミライズテクノロジーズ、2.高知工科大学)