14:00 〜 14:50 [19p-P02-1] Ir 触媒を用いたホットウォール CVD 法による Si 基板上への単層カーボンナノチューブの成長 〇(P)三崎 亜衣1、丸山 隆浩1,2 (1.名城大ナノマテ研、2.名城大理工)