11:30 〜 11:45 △ [19a-Z33-10] パルスレーザ堆積法による窒素ドープGa2(O1−xSx)3薄膜の成長 〇斉藤 拓海1、井原 佑太1、相馬 拓人1、加渡 幹尚2、大友 明1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)