10:45 〜 11:00 [19a-Z25-5] 高濃度GeドープGaN基板によるp-n接合ダイオードの低オン抵抗化 〇太田 博1、浅井 直美1、望月 和浩1、吉田 丈洋2、堀切 文正2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大学、2.サイオクス)