10:15 〜 10:30 [17a-Z18-5] 低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響 〇(M2)前原 拓哉1、池田 弥央1、大田 晃生1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)