17:15 〜 17:30 [17p-Z31-15] 厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製 〇下吉 賢信1、浮田 駿1、内田 和男1、田尻 武義1 (1.電通大)