09:30 〜 09:45 [19a-Z33-3] カソードルミネッセンス法を用いた m 面サファイア基上 Sn-doped α-Ga2O3 の深い準位の解析Ⅱ 〇守屋 亮1、城川 潤二郎1、高橋 勲2、四戸 孝2、肖 世玉3、三宅 秀人3、荒木 努1 (1.立命館大、2.FLOSFIA、3.三重大)