17:00 〜 17:15 △ [18p-Z15-14] 多層膜固相エピタキシー法による高移動度半導体La2O2Bi薄膜の合成 〇山本 裕貴1、河底 秀幸1、福村 知昭1,2 (1.東北大理、2.東北大WPI-AIMR & CRC, CSIS, CSRN)