13:00 〜 13:50 [16p-P01-5] RF-MBE法によるScAlMgO4基板上へのInGaNエピタキシャル成長 〇(M1)栢本 聖也1、黒田 悠弥1、和田 邑一1、藤井 高志1,2、毛利 真一郎1、白石 裕児2、福田 承生2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.(株)福田結晶研)