09:15 〜 09:30 [17a-Z28-2] 4H-SiC単結晶の昇華法オフ角成長における貫通らせん転位の変換挙動 〇江藤 数馬1、三谷 武志1、百瀬 賢治2、加藤 智久1 (1.産総研、2.昭和電工)