16:00 〜 16:15 △ [18p-Z05-10] 低温化によるキャリア捕獲時定数の増大に着目した4H-SiC MOS界面近傍欠陥の評価手法の検討 〇(M1)長谷川 凛平1、喜多 浩之1 (1.東京大工)